雙五星
圖像模式識(shí)別模擬與數(shù)字混合憶阻設(shè)備及制備，實(shí)現(xiàn)STDP學(xué)習(xí)規(guī)則和圖像模式識(shí)別方法
本發(fā)明涉及一種圖像模式識(shí)別模擬與數(shù)字混合憶阻設(shè)備及制備，實(shí)現(xiàn)STDP學(xué)習(xí)規(guī)則和圖像模式識(shí)別方法，包括底電極，頂電極，位于兩電極之間的氧化鎢薄膜組成的阻變功能層，該薄膜由磁控濺射生長(zhǎng)；在小電壓刺激下設(shè)備呈現(xiàn)模擬型阻變，在大電壓下刺激下設(shè)備呈現(xiàn)數(shù)字型阻變，并且通過信號(hào)設(shè)計(jì)兩種阻變行為都能實(shí)現(xiàn)STDP學(xué)習(xí)規(guī)則和圖像模式識(shí)別。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)STDP學(xué)習(xí)規(guī)則和圖像模式識(shí)別方法，通過電壓調(diào)整界面電阻和體電阻，在單個(gè)Au/WOx/Ti憶阻設(shè)備件中演示了模擬與數(shù)字阻變行為，并且在該憶阻系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)的學(xué)習(xí)精度和速度模擬模式識(shí)別。
東北師范大學(xué)
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