| 專利名稱 |
一種基于非富勒烯受體材料作SnO2界面修飾層的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法 |
| 申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào) |
CN202310201573.X |
專利權(quán)人（第一權(quán)利人） |
吉林大學(xué) |
| 申請(qǐng)日 |
2023-03-06 |
授權(quán)日 |
2026-04-14 |
| 專利類別 |
授權(quán)發(fā)明 |
戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)分類 |
材料化工 |
| 技術(shù)主題 |
鈣鈦礦 (結(jié)構(gòu))|開路電壓|電池|化學(xué)工程|物理學(xué)|接受體|材料科學(xué)|化學(xué)|電子傳輸層|鈣鈦礦太陽(yáng)能電池|電池單元|太陽(yáng)能|短路 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 |
光伏發(fā)電 |
| 意向價(jià)格 |
具體面議 |
| 專利概述 |
一種基于非富勒烯受體材料作SnO2界面修飾層的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。所制備的太陽(yáng)能電池采用ITO/SnO2/BDT?IC/Perovskite/Spiro?OMeTAD/Ag的n?i?p正型結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，我們提出了一種基于苯并二噻吩為中心核的非富勒烯受體分子BDT?IC作為SnO2電子傳輸層的界面修飾層，進(jìn)而制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法。使用本發(fā)明所述的材料及器件制備方法，可以有效地鈍化電子傳輸層和鈣鈦礦界面處的缺陷(例如，未配位的Pb離子)，抑制界面載流子的非輻射復(fù)合，增加開路電壓、短路電流等光伏性能參數(shù)優(yōu)化器件性能。同時(shí)，簡(jiǎn)化器件制備工藝，提高器件穩(wěn)定性。 |
| 圖片資料 |
|
| 合作方式 |
具體面議 |
| 聯(lián)系人 |
孟爽 |
聯(lián)系電話 |
18088660757 |
