| 專利名稱 | 一種紅熒烯薄膜自組裝有序圖案化生長制備的方法 | ||
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| 申請號/專利號 | CN201510744112.2 | 專利權人（第一權利人） | 長春工業大學 |
| 申請日 | 2015-11-06 | 授權日 | 2018-02-23 |
| 專利類別 | 授權發明 | 戰略新興產業分類 | 材料化工 |
| 技術主題 | 自組裝|化學|大氣層|傳導渠道|半導體 | ||
| 應用領域 | 真空蒸發鍍覆|濺射鍍覆|離子注入鍍覆 | ||
| 意向價格 | 具體面議 | ||
| 專利概述 | 本發明是一種紅熒烯薄膜自組裝有序圖案化生長制備的方法，即在真空氛圍中，在SiO2層之上沉積紅熒烯層，通過沉積、停歇的多次循環，實現自組裝排列的孔狀圖案化紅熒烯薄膜，紅熒烯聚集處為半導體的導電溝道部分，而紅熒烯未聚集的孔洞處是不導電部分。從而實現免去光刻的自組裝圖案化生長，達到有序、可控圖案化生長的目的。 | ||
| 圖片資料 |
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| 合作方式 | 具體面議 | ||
| 聯系人 | 戚梅宇 | 聯系電話 | 13074363281 |
