| 專利名稱 | 一種石墨烯量子點化學活性誘導生長紅熒烯薄膜的方法 | ||
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| 申請號/專利號 | CN201710231843.6 | 專利權人（第一權利人） | 長春工業大學 |
| 申請日 | 2017-04-11 | 授權日 | 2019-02-05 |
| 專利類別 | 授權發明 | 戰略新興產業分類 | 材料化工 |
| 技術主題 | Hummers法|溶劑|晶體生長|高壓|結晶度|Cvd石墨烯|石墨烯量子點|化學活性|量子|材料科學|醇 | ||
| 應用領域 | 真空蒸發鍍覆|濺射鍍覆|納米技術|離子注入鍍覆 | ||
| 意向價格 | 具體面議 | ||
| 專利概述 | 本發明是一種石墨烯量子點化學活性誘導生長紅熒烯薄膜的方法，利用石墨烯量子點表面效應的高化學活性橫向誘導紅熒烯晶體生長的方法。在SiO2襯底（3）制備石墨烯量子點（1）誘導層，紅熒烯分子（2）在石墨烯量子點（1）誘導下沿石墨烯量子點（1）邊緣生長。其中石墨烯量子點（1）采用溶劑熱法將改進Hummers法制備的氧化石墨烯置于220oC高溫高壓反應釜中進行切割，再將石墨烯量子（1）點溶于乙醇中旋涂于SiO2襯底上進行烘干，石墨烯量子點（1）呈點狀分布，接著紅熒烯分子（2）沿著石墨烯量子點（1）邊緣橫向生長，逐漸鋪滿整個襯底，形成有序、均勻的紅熒烯薄膜。該方法利于實現紅熒烯的結晶性生長形成高有序的薄膜。 | ||
| 圖片資料 |
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| 合作方式 | 具體面議 | ||
| 聯系人 | 戚梅宇 | 聯系電話 | 13074363281 |
